國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,江蘇魯汶儀器股份有限公司、北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心(北京)有限公司申請一項(xiàng)名為“一種半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備及其控制方法”的專利,公開號(hào)CN121331731A,申請日期為2024年7月。專利摘要顯示,本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備及其控制方法,半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備包括柵網(wǎng)和至少一個(gè)電磁線圈;柵網(wǎng)包括多個(gè)網(wǎng)孔,離子束可以通過柵網(wǎng)的網(wǎng)孔進(jìn)行引出。電磁線圈圍繞至少一個(gè)網(wǎng)孔或多個(gè)網(wǎng)孔環(huán)繞電磁線圈,至少一個(gè)電磁線圈用于提供目標(biāo)形狀和目標(biāo)強(qiáng)度的磁場,以利用目標(biāo)形狀和目標(biāo)強(qiáng)度的磁場控制通過多個(gè)網(wǎng)孔的離子束的空間分布,也就是說,通過在網(wǎng)孔周圍預(yù)先設(shè)置至少一個(gè)電磁線圈,通過設(shè)置至少一個(gè)電磁線圈的位置以及電流大小確定目標(biāo)形狀和目標(biāo)強(qiáng)度的磁場,目標(biāo)形狀和目標(biāo)強(qiáng)度的磁場就能夠?qū)νㄟ^網(wǎng)孔的離子束進(jìn)行空間分布的